30% 超频幅度的 12400 ! 华硕 ROG B660-G 整机实弹非 K 超频
发布时间：2025-07-30
▲ 支架载 7.1 声道构建声奥斯，一旁备有有丰沛的滤加里磁力阻。
▲ i/o 以缘故网处，全部都是车 HDMI 与 DP 以缘故网，以及 4个 USB 2.0 以缘故网，最；也的以缘故网连动一旁的按化学键可以借助于无 CPU 刷 bios，非常有效率。全部都是车 2 个 USB 3.2 Gen 1 Type A （10Gbps）以缘故网与 USB 3.2 Gen 2 Type A / Tpye C （20Gbps）以缘故网各一。支架载 2.5G 很低速网口以缘故网以及 WiFi 6 无直通网奥斯，无直通网奥斯需连动零件包里头的最优化发射机常用。支架载 7.1 声道反向，且声音反向赞同 Type C 口。
▲ intel 支架载 2.5G 很低速网奥斯。
▲ 败家之眼赞同 ARGB 哦~~~；也还有 WiFi 6 无直通网奥斯。
▲ B660-G 的零件也非常丰沛，各种零件日常都必须加到，而且很多贴零件时会满足玩者展现的必须。
其他零件 辨识奥斯▲ 辨识奥斯必需影驰的 3060 星曜 OC 锁算力旧国际版本。影驰最近的二次元浓度越来越很低了呀。
▲ 影驰的 3060 星曜样式非常有特色，薄明的分流内衬后半部用红色单张做底，在 RGB 灯后来，不间断适度流白光溢彩，晶莹剔薄。
▲ 三把 RGB 涡轮机，兼顾亮眼的机壳安全部都是适度与安静的调试噪声，连动上大规模的机壳屋檐，必须非常安静、很低效的为 3060 不间断适度、闪存、断磁力来进行亮眼的机壳。
▲ 顶上的星曜 LOGO 处可以 RGB ，连动上绿宝石面的可以展现丰沛的折射，时会让不间断适度不够沙静音璀璨。断磁力以缘故网的一旁还有 RGB 信号直通，连接到平支架的 12V 以缘故网，可以借助于平板的 RGB 联动流白光溢彩。
▲ 贯通结构其设计背支架，在并未 PCB 的；也雕花处理事件，以增沙机壳操纵能力。
▲ 双 8 pin PCIe 断磁力以缘故网，这样可以最少化从 PCIe X16 插座取磁力，保护平支架。
▲ 分流内衬可以非常恰当感受到晶莹剔薄。
▲ 辨识反向以缘故网为 1 * HDMI 2.1，3 * DP 1.4a ，第二大赞同 8K 灵敏度。
▲ 零件包里头还有其他古怪的零件，比如辨识奥斯与平支架灯效联动的信号直通，以及可以导白光的 ABS 不锈钢辨识奥斯支撑架套收纳，书本、质保奥斯。
▲ 因为测试者 CPU 自已磁力脑前后的展现出，必须将RPG的画质预设到最低，以凸显 CPU 安全部都是适度减低偷偷地来的作用，因此我们先看影驰 3060 星曜的安全部都是适度展现出吧。
存储器▲ 金百达的 DDR5 4800 16G 单条现阶段仅售 649 元，是现阶段最价格便宜的 DDR5 4800 16G。这个存储器单纯是 惠普的 DDR5 4800 16G，就是智贴金百达牌的惠普 DDR5 。
它的外包收纳智的很独创，亦然面的第二大的面的积就是金百达的 LOGO 占据的。每个盒兄一条 DDR5 4800 16G
▲ 后半部配上硬质铝壳沙以包裹跟保护，外壳奥斯存储器得很有空，不时会轻易扔受伤害。
▲ 存储器条的亦然面的是白光面的 PCB 这边。上面的有金百达的底座单张跟水印镭射白光标。
▲ 底座上面的写就着“金百达 DDR5 4800 16GB 1.1V”
▲ 翻面的后来，这样一来呈现出金百达这对 DDR5 存储器条的智身——惠普 DDR5 4800 16GB。因为 DDR5 存储器可用双地下通道，所以 PCB 造型上时会比 DDR4 存储器不够很低，近口的 DRAM 存储器外层分不属于两个相同的地下通道，既单条需借助于双地下通道的安全部都是适度。
▲ 从外层到底座全部都是套都断定，它就是惠普 DDR5 4800 16G。
▲ 惠普在存储器上的功力智的时是强的，金百达这对 DDR5 存储器条都为 DDR5 4800，VAIO AEMP 机能可以则会自已磁力脑到 DDR5 5600 C36，挥动自已磁力脑可以自已磁力脑到 DDR5 6143 40-39-39-76 ，智的非常凶猛。
▲ 如果意味著的话，可以买了一对马甲扇叶，自己一组收纳，时会增沙存储器的牢固适度。
SSD▲ 这次 SSD，种系统盘常用德勒利 NM620 我是快要主支架的时候买了的，是据传包收纳旧国际版本，跟京东自建的取而代之旧国际版本只是样式区别，这么久一直用来当 intel 测试者平台的种系统盘。此外还配上 NX PCIe 4.0 SSD ——德勒利 NM760 1TB ，用来测试者时是时是外频对磁力脑其他零件的阻碍。
德勒利的包收纳吹拂格是当今独创吹拂，在包收纳盒的右下角都有都为论点写入速度较慢，这两块盘，砖头是 PCIe 3.0 X4 ，砖头是 PCIe 4.0 X4 ，亦然好扩展到了现阶段市面的上大大部分的 SSD 。
▲ 右下的都是多国语言国际版书本，顶上都有都为写入速度较慢。NM620 1TB 的都为写入速度较慢是 3300MB/S，NM760 1TB 的都为写入速度较慢是 5300 MB/S。
▲ 取而代之旧国际版本的 NM620 时会跟 NM760 差不多，顶上有型号单张，底座单张移动到右下的去。无论是 NM620 1TB 还是 NM760 1TB ，都是配上单面的外层其设计，这样必须第二大化提很低实用适度，这样一来为了让平支架全部都是车的 M.2 扇叶。
▲ 德勒利 NM760 1TB 与 NM620 1TB 右下的都并未磁力兄器件，是白光支架 PCB。
▲ 我们把 NM760 1TB 的亦然面的型号单张好像揭去，可以认出 NM760 1TB 配上的是无缓存方案，所以这款 M.2 SSD 就是精选 PCIe 4.0 X4 NX的适度价比 SSD。
▲ NM760 的操控来自 SMI 慧荣的 SM2269XT，配上当前的 12nm 制程，相比多年来的操控具备不够为亮眼的发烧跟发烧比率操纵，定位上德勒利为其备有的笔记本磁力脑室温侦测与操纵机能，估测比其他多年来操控有不够低的调试室温，这样能保障 SSD 长期牢固的调试。这款操控赞同 PCIe 4.0 X4 与 NVMe 1.4 两国政府。
▲ NM760 1TB 配上的是江加里龙封收纳的 longsys RC72TAA1442512G NAND 外层，，单颗 512GB，两颗共 1TB 的发电能力，如果你对这个外层陌生的话，它的单纯就是人口为129人，备受好评的英特尔 Micron B47R 176L 的 176层 3D-TLC NAND ，都为 P/E 为 3000 次，这让 SSD 具备非常亮眼的常用寿命。
▲ 德勒利 NM620 的操控来自于德勒利自研的操控 DM620，外部有备有磁力竞级笔记本磁力脑温控模结构其设计，可以让常用时的发烧不够低，调试不够沙牢固。
▲ 好像揭扔掉 NM620 1TB 的底座单张，可以认出外层上装订 29f2t08emlce，查阅应为英特尔 3D TLC NAND 外层，江加里龙购得原片后自行封收纳，单颗2Tb = 256GB，4颗一分成 1TB 的发电能力，NAND 21年13周量产的。
▲ 完全部都是揭扔掉 NM620 1TB 底座标签后，可以认出跟标题的上的渲染平面图必需相同。
机壳▲ 机壳器这次用乔思伯的炫目 TW6-280 红色国际版 ，这款机壳器可以赞同 ARUA SYNC 5V 拈花寺联动，并且它的定价不很低，适度价比亮眼。
▲ 内容可就可以认出，涡轮机已经预收纳到冷排之上，好评，省去了安收纳的苦恼。红色的冷排与涡轮机，平添了不少颜值，冷排是标准化截面积。
▲ 冷头的承重为很低薄白光铝，可以把冷头在 ARGB 时不够沙流白光溢彩。
▲ 纯铜底座，分白光镜的敏感度非常亮眼。冷头 ARGB 插针赞同 ARUA SYNC 5V，插上需，安收纳简单。
▲ 两把 14025 红色 ARGB 涡轮机，为里面间发亮的模结构其设计，涡轮机配上导白光材料，在程潜后来视觉敏感度非常差强人意。
▲ 全部都是平台扣具都有，还包括了当前的 LGA 1700，只用按照书本安收纳需，非常简单。
由此可知关▲ 由此可知关配上VAIO的 TUF GAMING 550W 团体冠军由此可知关，这款由此可知关赞同6年换取而代之服务，常用起来尤其放心。
▲ 后半部的零零件非常丰沛，有束直通扎偷偷地，魔术扎偷偷地，AC 由此可知关回传直通，以及 TUF GAMING 的单张、测试者认证书，书本。
▲ 550B 突击挥由此可知关是非模一组直通的 80PLUS 团体冠军由此可知关，配上了很低高质比率的磁力阻跟阻抗。由此可知关的上表面的有45°鱼骨，既让由此可知关的造型不够沙美观，也减小用户割挥的意味著。
▲ 由此可知关的涡轮机配上 135mm 寂静涡轮机，赞同笔记本磁力脑启停技术开发，当总发烧比率低于 30% 时，则会停转。这把轴流涡轮机的跟VAIO ROG 很低适度能辨识奥斯备有的涡轮机是同一多种类型，具备不够为亮眼的吹拂灌注跟吹拂比率，同时具备不够低的调试干扰，涡轮机轴承配上双滚珠轴承，具备不够多的不够轻适度跟环境方式所型。
▲ 由此可知关的 TUF GAMING 550W LOGO 无论由此可知关亦然面的安收纳都时会展现诱导辨识。
▲ 在 AC 由此可知关反向下端有总控由此可知关，也有 TUF GAMING 的 logo 帖兄。从通吹拂孔可以认出由此可知关的外部，其网站辩称由此可知关的 PCB 有保护涂层，可以让由此可知关能避毋须因凉爽、灰尘、碎屑引发的高压磁力。
▲ 由此可知关的底座单张在由此可知关的出直通下端这里头，可以认出 +12V 的蒸汽轮机为 540W，必须偷偷地动 12400 自已磁力脑 + 3060 。
▲ 由此可知关底部印有 TUF GAMING 。550B 突击挥有 2个 PCIe (6+2)pin 以缘故网以及 1个 CPU 8pin 以缘故网，非常适合 12400 / 5600 这一第四部的平台连动 3060 / 6600 这些辨识奥斯常用。
插座▲ 插座配上VAIO 的AP201 冰立方插座 红色国际版，这款插座跟市面的上的里面很低适度能插座不缘故一样，并未配上烂大街的钢化玻璃，而是在平板的口支架、顶支架、前面的支架都大比率配上了 1.5mm 的平顶薄小孔，使得插座的薄气适度非常亮眼，防尘适度也受益了兼顾，如果配上 ARGB 发亮零件的话，在高耸相反有馅饼般的视觉敏感度。
▲ 大规模的 1.5mm 的平顶薄小孔，让插座不够为通薄，不够小的薄小孔可以有效减小灰尘的带入。
整个VAIO AP201 冰立方插座的可原地卸面的支架都是配上奥斯扣结构其设计的，徒挥就可以借助于总能、慢速的原地收纳。两口支架底部配上防冲到其设计，无需顾虑下部的支架砸到脚上。
▲ 插座的 I/O 以缘故网周围在前面的支架的顶上，全部都是车有 USB 3.2 Gen2 Type C 以缘故网跟 USB 3.2 Gen1 Type A 以缘故网 2个，以及耳麦 3.5mm 稳定器以缘故网，以及偷偷地有指示灯的由此可知关化学键。
▲ 顶上的面的支架也配上大比率1.5mm 的平顶薄小孔，徒挥原地由此可知顶上后，后半部有 3*120 的机壳涡轮机位 or 2 * 140涡轮机位，可以第二大接口 280 / 360 水冷。
▲ 原地由此可知下部的支架，插座的五金架构非常优秀，由此可知关可以在三个档位来进行安收纳切换，以连动 360 水冷或者长辨识奥斯的收纳机必须。3.5 英寸硬盘的安收纳位在插座前驱面的支架的右方，由此可知关与硬盘仓有可原地卸的挡支架沙以遮挡，这样时会让插座外部不够沙美观。
▲ 插座的两处；也都有标记 ASUS PRIME CASE，VAIO大师插座。
▲ 插座的理直通理直通其设计非常亮眼，32 mm 截面积的最初束直通周围，可以总能放下 24pin + PCIe 2*（6+2） pin 的由此可知关直通，以及其他信号直通，而插座背支架与下部的支架之间的缝隙也可以非常总能地安收纳 2.5 英寸硬盘，也能合理的布直通、藏直通。
▲ 小插座的安收纳必须时也简介书本，以获取不够好的安收纳感受。红色插座全部都是车的栓是红色跟红色的束直通偷偷地，这样就时会和红色插座尤其搭车。
收纳机成品平面图▲ 首先将 CPU、存储器条、SSD 收纳到平支架上，然后准备将平支架一组合体收纳到插座上。
▲ 剩下就是把由此可知关、机壳器、辨识奥斯收纳入。安收纳完成后我们可以认出VAIO AP201 冰立方插座的接口非常亮眼，就算是影驰 3060 星曜跟乔思伯 280 水冷都能收纳入，并且外部空间还有必须的裕比率。
底部也可以便收纳两个 12025 / 14025 机壳涡轮机以减低插座机壳。
▲ 换个相反欣赏下这台插座测试者 12400 时是外频的Dreamcast，我们就此灯看看收纳机成果啦。
流白光溢彩▲ 乔思伯炫目 TW6-280 红色国际版，在由此可知启 ARUA SYNC 时时会展现彩虹加里的视觉敏感度。如果是普通的钢化玻璃插座时会不下漂亮的，但是在冰立方 AP201 插座内，时会不易形成杂乱无章的视觉敏感度。
▲ 当由此可知启奥创里面心，将所有 ARUA ARGB 整合在一起，借助于一个发亮不间断适度后。盖上VAIO冰立方 AP201 的下部的支架后，在顶上高耸出发点，时会有相同于钢化玻璃口薄支架的视觉敏感度。
▲ 整个插座很有馅饼般的观感，随着相反的变幻，炫目周围因极化人眼的相反相同，而展现不程潜颜色不间断适度敏感度。
▲ 而且这个 ARGB 敏感度相对于钢化玻璃不够沙圆润不光亮。
▲ 好了我们由此可知始测试者 12400 当前与自已磁力脑的安全部都是适度展现出吧。
B660-G 时是外频教程 CPU 自已磁力脑大部分▲ 由此可知机按 “DEL” 化学键带入种系统，按 "F7" 带入很低级模结构其设计,带回 "Ai Tweaker" 页面的，
必需 "Ai 笔记本磁力脑自已磁力脑-挥动",在下面的的 "BLCK 高频率便是预设想要的外频 130"，
"存储器高频率便是 （红色高频率）" 这样就可以第二大化为了让 XMP 的小实例,自己只用删减小大部分。
接着必需 "CPU 不间断适度放大率——Sync All Core"，这样就能对全部都是不间断适度来进行自已磁力脑
在下面的的 "All Core Ratio Limit—— 40" 这表示种系统里面 12400 调试的第二大时脉是 40 时脉。CPU 的高频率 = 外频 X 时脉。 如果是 135 外频 * 40 = 5.4G， 130 外频 * 40 = 5.2 G 。
▲ 接着必需 "Ai Tweaker" 介面的下的 "DIGI + VRM" 附加，带入"DIGI + VRM" 兄介面的。
必需 "CPU 负载直通扫描"—— "Lever 6" 这是 CPU 的负载直通防扔掉灌注档次，时是越很低，由此可知越很低，以能避毋须很低负载扔掉磁力灌注，引发磁力脑XP、启动。
"CPU 阻效发电能力"——"130%"
"CPU VRM 切换高频率"——"挥动"
"VRM 分由此可知高频率模结构其设计"——"500"
"CPU 断磁力相数操纵"——"极致"
"CPU 断磁力亦然弦操纵"——"极致"
▲ 退出 "DIGI + VRM" 兄介面的，带回 "Ai Tweaker" 介面的下，继续往下翻页，带回：
"CPU 缓存最少时脉"—— 31~33，友情警惕，如果外频设为时是过 135 ，恳请全然设为为 32 或者不够低。
"MAX CPU Cache Ratio"—— 31~33 ，CPU 缓存最少时脉，跟上面的的一样设为，这两个是 CPU L3 的高频率，称作 Ring 高频率，12代酷睿的 Ring 牢固高频率在 4.1~4.3G ，因体格而异。
"Actual VRM Core Voltage"——"Manual Mode" CPU 磁力灌注预设，挥动等价模结构其设计。
"- CPU 不间断适度磁力灌注覆写就"——1.39V 1.4V 以下，B660-G 显然是安全部都是磁力灌注，1.4V 以上 时会辨识黄色警惕，此磁力灌注长期常用时会有吹拂险哈。
如果不时是存储器，只要变不够合适的存储器高频率后，按 F10 保留需。如果时是存储器，就烦恳请往下继续翻。第一次广泛应用取而代之设为的过程尤其整整，自检差不多必须半分钟以上，恳请耐心赶紧。
存储器自已磁力脑大部分▲ 首先由此可知启 XMP ，让平支架写入 XMP，减小变不够存储器的工作效率，在"Ai Tweaker" 介面的下变不够存储器高频率至 ""，这个高频率时会随着 CPU 外频的增减而增减。
然后带入"存储器动态操纵"兄介面的，金百达（惠普） DDR4 4800 16G * 2，现阶段网友估测是可以 DDR5 6000 40-40-40-77 1.25V，我估测是可以 39-39-39-76 1.25V，但是为了能避毋须因为存储器XP而回击，我必需可视动态，这个动态最终让我设法自已磁力脑至 DDR5 6143，并通过了 Aida 64 的存储器与缓存测试者。
▲ 最终，存储器磁力灌注设为为 1.25V。
按 F10 保留设为并启动。第一次广泛应用取而代之设为的过程尤其整整，自检差不多必须半分钟以上，恳请耐心赶紧。
自已磁力脑前后安全部都是适度对比▲ 首先是 12400 默频——100 外频单项测试者，此时由此可知启VAIO的 AEMP 技术开发，将这对金百达则会自已磁力脑至 DDR5 5600 36-36-36-77 1.35V。
▲ 作为对比是将 CPU 外频自已磁力脑至 135，此时 CPU 不间断适度高频率为 5.4G，存储器高频率为 DDR5 5940 40-39-39-76。
▲ 将学习成绩来进行汇总并无论如何数据分析，可以认出 CPU-Z 的测试者得分跟 CPU 外频亦然具体，CPU 外频莫升至 135 时，多不间断适度安全部都是适度减低了 34.8%，单不间断适度也减低了 29.4%
▲ 因为我这颗 CPU 体格缺陷，只能 135 外频过世锦赛测试者，一路XP后，最终只能 132 外频过世锦赛测试者，可以认出 132 外频的 12400 + DDR5 6028 相对于默频，在谱系预期操纵能力上减低了 21.3%。
▲ R15 测试者负载不够重，132 外频的 12400 也只能牢固调试测试者，一路XP后，最终外频牢固在 130，不间断适度高频率 5.2G 过了 R15 测试者，后续必需的测试者者都是以 130 外频，40时脉过测试者的。
▲ Cinbench R15 多不间断适度单项上，自已磁力脑至 130 外频 5.2G 不间断适度高频率的 12400 + DDR5 5980，相对于默频减低了 31.3%，单不间断适度安全部都是适度也减低了 20.7%。
▲ 后续为了脚注，只上传自已磁力脑至 130 外频，5.2G 不间断适度高频率的 12400 测试者学习成绩，以及汇总对比示例，有效率查看，想见当前学习成绩大家必需上都确实，我们只看自已磁力脑后的学习成绩跟对比吧。
▲ R20 测试者结果相对于 R15 自已磁力脑偷偷地来的减低频稍有增加，5.2G 的 12400 + DDR5 5980 多不间断适度安全部都是适度压过默频 25.8%，单不间断适度压过默频 21.8%。
▲ R23 单项相对于 R20 单项，自已磁力脑至 130 外频 5.2G CPU 不间断适度高频率的 12400 + DDR5 5980 相对于默频，多不间断适度的安全部都是适度减低衰减稍多，只相对于默频减低 9.1%，单不间断适度减低大幅度延续先前的 20% 近的水平，为 19.6%。
当然，意味著的情况下是，R23 测试者灌注力大，测试者时间极短，我的 CPU 机壳器过于好，阻碍到了自已磁力脑 5.2G 的 12400 的发挥。
▲ 3Dmark 的 CPU Profire 是 CPU 的安全部都是适度专项测试者。可以认出，单直通程的单项下 5.2G 的 12400 + DDR5 5980 相对于默频减低大幅度为 22.3%，8直通程 以上安全部都是适度减低大幅度 ＞30% 。
▲ 3Dmark Fire Strike 是 DX11 1080P 灵敏度Senior别的测试者，CPU 测试者最高分占总分比率较很低。5.2G 的 12400 + DDR5 5980 相对于默频在 CPU 单项上很低了 27.4%，中心等安全部都是适度减低 3~5% ，辨识奥斯最高分意味著遇到了测试者误差（根据其他学习成绩来进行的中心等推论）。
▲ 3Dmark Fire Strike Extreme 是 2K 灵敏度Senior别的 DX11 单项测试者，测试者灌注力不够大，CPU 单项上，自已磁力脑至 5.2G 的 12400 + DDR5 5980 压过默频 27.3%，但很低高频率的 CPU 时会给不间断适度安全部都是适度偷偷地来 1.6% 的减低。
▲ 3Dmark Fire Strike Ultra 是 4K 灵敏度Senior别的 DX11 单项测试者，CPU 单项上，自已磁力脑后的 12400 + DDR5 5980 压过延续先前的大幅度，自已磁力脑 CPU为平板偷偷地来的中心等安全部都是适度减低差不多在 1%。
▲ 3Dmkar Time Spy 单项虽然是 2K 灵敏度的 DX12 单项测试者，但是 CPU 的安全部都是适度还是时会不够多的阻碍到各个方面的安全部都是适度评定。自已磁力脑至 130外频 5.2G 全部都是不间断适度高频率的 12400 + DDR5 5980 在 CPU 单项上减低 23%，各个方面安全部都是适度减低 2.7%，很低频 CPU 时会偷偷地来些许的辨识奥斯安全部都是适度减低，但是不缘故多.........
▲ 3Dmkar Time Spy Extreme 是 4K 灵敏度Senior别的测试者，没想到呀，在 3Dmark 这一第四部辨识奥斯单项测试者里头，竟然是测试者最严苛的 TSE 单项自已磁力脑偷偷地来的频第二大.......当然，诱因意味著是很低频 CPU 完全部都是无罪释放了 3060 的安全部都是适度。
▲ 3Dmkar Port Royal 单项测试者断定——白光威吹拂安全部都是适度现阶段与 CPU 安全部都是适度关系不大..........
▲ 而RPG测试者断定.....自已磁力脑至 130 外频，全部都是不间断适度 5.2G + DDR5 5980 的自已磁力脑一组对于RPG的减低.....却是大....因为现阶段RPG除非多由此可知，不然边际效应递减很不易呈现出来。
其次可以发现一代的 CPU 外频已经跟总直通高频率脱钩了，外频除了对 CPU 本身，以及存储器有阻碍。当然存储器有阻碍也是因为 CPU 构建了存储器操纵器.........
▲ 我们来横向对比德勒利 NM760 1TB 在默频与 130 外频全部都是不间断适度 5.2G 时的安全部都是适度对比。可以发现，不够很低的 CPU 高频率时会让 NM760 1TB 的安全部都是适度完全部都是发挥出来，之外是随机 4K 举例来说就不间断安全部都是适度测试者，减低了 500MB/S，这样一来直抵了 PCIe 3.0 的墙面的。
不间断适度而言，无论自已磁力脑前后，NM760 1TB 都保持稳定着不间断举例来说就安全部都是适度上 PCIe 4.0 X4 的展现出水平，不间断写入速度较慢趋向于于 5300MB/S，不间断写就入速度较慢远大于 4500 MB/S。
▲ 对于 64GiB 大测试者较慢而言，自已磁力脑至 130 外频 5.2G 全部都是不间断适度高频率的 12400 ，对大测试者块安全部都是适度的不间断写就入减低非常明显，这样一来从 3700MB/S 减低到 4500 MB/S ，不够很低的高频率能让 PCIe 4.0 X4 SSD具备不够为亮眼的重灌注效飞行器操纵能力，必须在重飞行器的常用的情况下下，具备不够亮眼的展现出安全部都是适度。
▲ 至于德勒利 NM620 1TB 的举例来说就安全部都是适度，不够多的展现出为牢固适度，所以 NM620 1TB 不够适应于据传平台升级的用户常用，必须获取不够为亮眼的适度价比。
▲ 金百达（惠普） DDR5 4800 16G * 2 XMP DDR4 4800 C36 的 存储器举例来说就安全部都是适度，DDR5 相对于 DDR4 不够很低的存储器读、写就、激活安全部都是适度确有车祸的展现出了出来。
▲ 为了让VAIO的 AEMP 技术开发，则会对存储器来进行自已磁力脑，受益了 DDR5 5600 36-36-36-77 1.25V 的等价实例，此时存储器的读、写就、激活安全部都是适度大幅度减低，存储器的延迟相对于 XMP 当前不够低。
▲ 在 12400 默频的状态下，将金百达这对 DDR5 自已磁力脑至 DDR5 6133 40-39-39-77 1.25V，我们来测试者下此时的存储器及缓存安全部都是适度，作为右方减低外频的简介对比。
▲ 当 CPU 外频是 135 时，39时脉 全部都是不间断适度高频率在 5.265G 近的 12400,此时充分变不够存储器高频率，最终达到 DDR5 6119 40-39-39-77 1.25V 这一挥动等价实例。不够很低的 CPU 外频与全部都是不间断适度高频率，让 L1 的举例来说就速度较慢不够较慢，叠沙不够很低的 DDR5 高频率，这让这对金百达 DDR5 存储器条的写入、写就入、激活速度较慢突破了 10万MB/S 的起更，这个速度较慢比 12900K + Z690 的平台测试者受益结果还很低！延迟也大幅的减低！
所以对于存储器必须尤其大的专业类布景，在不够很低 CPU 外频与高频率时会获取非常大的常用减低。
室温与干扰测试者▲ 为了让 aida64 单钩 FPU 对 12400 默频 来进行灌注力测试者的同时，用 Furmark 对影驰 3060 星曜来进行辨识奥斯灌注力测试者，测试者时间差不多是 14~15 分钟，测试者过程里面，保持稳定VAIO冰立方 AP201 插座所有支架都关停。最终来进行汇总对比。
▲ 分别测试者记录收纳上支架与敞由此可知结构其设计的平均值干扰
▲ 最终通过汇总示例对比可以认出VAIO的冰立方 AP201 插座就算只安收纳一个里面置涡轮机的情况下下，机壳安全部都是适度也非常亮眼，收纳上所有口支架后来，仍保持稳定非常亮眼的机壳安全部都是适度，这样能保障插座内零零件机壳的同时减低调试干扰，让用户获取冷又静的常用感受。
总结一番测试者慢慢地，我明白为什么 intel 时会将非 K 自已磁力脑沙了那么多受到限制情况下，因为一旦非 K 自已磁力脑并未受到限制的话，非 K CPU 自已磁力脑减低大幅度明显比 K 第四部的自已磁力脑大幅度大，这让丐国际版 Z690 + 12600K(F） 套收纳还怎么卖？
早先自已磁力脑很低挥的方面，以及我们测试者最终也说明了，时是外频的额度比时是时脉不够大，这时会让 12700 如出一辙 12700K（F）， 12400（F） 、12490F 如出一辙 12600K（F）。之外是 12400，本身并未小核，增强型不够很低，最为关化学键的是，这一套算慢慢地 12400(F） + VAIO ROG B660-G + DDR5 4800 16G*2 的套收纳甚至比 12600K（F） + Z690 + DDR4 3600 16G*2 的市价不够价格便宜，自已磁力脑比例还不够很低，自已磁力脑偷偷地来的减低也不够明显。
最终，我自已推论，12400F 的自已磁力脑潜力意味著时会不够大，因为它并未核显，论点上能上不够很低的外频，12490F 情况下未知。
同在最终必须警惕一句——自已磁力脑有吹拂险，操作需谨慎，机壳要做好！
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